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STGWT40H65DFB /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGWT40H65DFB的规格信息
STGWT40H65DFB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

特色产品："Tail-Less" 600 V IGBT V Series St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：160A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2V @ 15V，40A

功率 - 最大值：283W

开关能量：498µJ（开），363µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：210nC

25°C 时 Td（开/关）值：40ns/142ns

测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：62ns

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P

其它名称：497-14229-5

供应商STGWT40H65DFB
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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芯莱德电子（香港）有限公司STGWT40H65DFB深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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Digi-Key 得捷电子		STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBT 650V 80A 283W TO3P-3L$4.19000
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Digi-Key 得捷电子		STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT1+:￥23.06
10+:￥18.55
100+:￥16.44
250+:￥15.2001
500+:￥13.91
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Future(富昌)		STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT1+:￥23.06
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Mouser 贸泽电子		STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT1:¥31.1202
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT1+:￥23.06
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立创商城		STGWT40H65DFBST(意法半导体)IGBT管1+:￥28.32
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