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STGWT80H65DFB /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGWT80H65DFB的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:"Tail-Less" 600 V IGBT V Series St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,80A

功率 - 最大值:469W

开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:414nC

25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns

测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):85ns

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P

其它名称:497-14234-5

供应商STGWT80H65DFB
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STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT 650V 120A 469W TO3P-3L$6.66000
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STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd1+:¥42.41
10+:¥34.1099
100+:¥30.2599
250+:¥28
500+:¥27.28
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STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd1+:¥42.41
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250+:¥28
500+:¥27.281+:¥43.48
10+:¥39.18
25+:¥35.61
100+:¥32.3
250+:¥32.3
500+:¥32.3
1000+:¥29.66
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5000+:¥28.5430+:¥36.19
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STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd1:¥54.7824
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Mouser 贸泽电子
STGWT80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd1+:¥42.41
10+:¥34.1099
100+:¥30.2599
250+:¥28
500+:¥27.281+:¥43.48
10+:¥39.18
25+:¥35.61
100+:¥32.3
250+:¥32.3
500+:¥32.3
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