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STGWT40HP65FB /IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
STGWT40HP65FB的规格信息
STGWT40HP65FB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3P-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:283 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWT40HP65FB

集电极最大连续电流 Ic:80 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:300

子类别:IGBTs

单位重量:5.500 g

供应商STGWT40HP65FB
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Digi-Key 得捷电子		STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB$2.79000
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