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STGWT20H65FB /IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
STGWT20H65FB的规格信息
STGWT20H65FB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3P

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.55 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:168 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWT20H65FB

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:20 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:300

子类别:IGBTs

单位重量:6.756 g

供应商STGWT20H65FB
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上海三崧电子有限公司STGWT20H65FB上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市芯幂科技有限公司STGWT20H65FB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STGWT20H65FB深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STGWT20H65FBSTMicroelectronics1+:￥42.76
10+:￥34.4
100+:￥30.54
250+:￥28.22
500+:￥25.31
1000+:￥21.3901
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Mouser 贸泽电子		STGWT20H65FBSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed1:¥29.041
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Mouser 贸泽电子		STGWT20H65FBSTMicroelectronics1+:￥42.76
10+:￥34.4
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