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STGWT20IH125DF /IGBT 晶体管 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
STGWT20IH125DF的规格信息
STGWT20IH125DF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3P

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.25 kV

集电极—射极饱和电压:2.55 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:259 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWT20IH125DF

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:20 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:300

子类别:IGBTs

单位重量:6.756 g

供应商STGWT20IH125DF
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上海山峻电子有限公司STGWT20IH125DF上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市芯幂科技有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市坤融电子有限公司STGWT20IH125DF航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市赛美科科技有限公司STGWT20IH125DF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市博浩通科技有限公司STGWT20IH125DF华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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深圳市捷芯微科技有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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深圳市维基鸿电子有限公司STGWT20IH125DF赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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深圳市高捷半导体有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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芯莱德电子（香港）有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司STGWT20IH125DF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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