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STGWT20IH125DF /IGBT 晶体管 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
STGWT20IH125DF的规格信息
STGWT20IH125DF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3P

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.25 kV

集电极—射极饱和电压:2.55 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:259 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGWT20IH125DF

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:20 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:300

子类别:IGBTs

单位重量:6.756 g

供应商STGWT20IH125DF
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上海三崧电子有限公司STGWT20IH125DF上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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13352985419,19076157484
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Digi-Key 得捷电子
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥29.53
10+:¥23.72
100+:¥21.1
250+:¥19.49
500+:¥17.46
1000+:¥14.76
2500+:¥13.97
5000+:¥13.46
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Digi-Key 得捷电子
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT 1250V 40A 259W TO-3P$1.87750
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Mouser 贸泽电子
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT 晶体管 1250V 20A trench gte field-stop IGBT1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
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Mouser 贸泽电子
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥29.53
10+:¥23.72
100+:¥21.1
250+:¥19.49
500+:¥17.46
1000+:¥14.76
2500+:¥13.97
5000+:¥13.461+:¥23.52
10+:¥18.8801
100+:¥16.81
250+:¥15.65
500+:¥15.65
1000+:¥14.94
2500+:¥14.3701
5000+:¥13.93
10000+:¥13.76
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STGWT20IH125DFST(意法半导体)IGBT管1+:¥26.59
10+:¥25.81