特色产品：St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：120A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：260W

开关能量：151µJ（开），293µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：149nC

25°C 时 Td（开/关）值：37ns/146ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P

其它名称：497-14468-5