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STF2LN60K3 /MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
STF2LN60K3的规格信息
STF2LN60K3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:12 nC

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

系列:STF2LN60K3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23.5 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:330 mg

供应商STF2LN60K3
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STF2LN60K3N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1071.4 Kbytes共20页STF2LN60K3的PDF下载地址
STF2LN60K3的全球分销商及价格
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STF2LN60K3STMicroelectronicsPOWER MOSFET - Rail/Tube2,000 : $0.4766
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STF2LN60K3STMicroelectronicsMOSFET N CH 600V 2A TO-220FP10 : $0.929
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