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STF26NM60ND /STMicroelectronics/分立半导体产品
STF26NM60ND的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:FDmesh?? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):175 毫欧 @ 10.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1817pF @ 100V

功率 - 最大值:35W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220FP

其它名称:497-14269-5STF26NM60ND-ND

供应商STF26NM60ND
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STF26NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II1+:¥45.67
10+:¥41.09
25+:¥37.38
100+:¥33.7501
250+:¥31.06
500+:¥28.29
1000+:¥24.65
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500+:¥28.29
1000+:¥24.65
2000+:¥23.721+:¥36.44
10+:¥32.8
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100+:¥27
250+:¥27
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5000+:¥23.8