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STF24N60M2 /MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
STF24N60M2的规格信息
STF24N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STF24N60M2

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:330 mg

供应商STF24N60M2
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深圳市源美佳成电子有限公司STF24N60M2新华强Q2C0350755-83204865
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深圳市芯幂科技有限公司STF24N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司STF24N60M2华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF24N60M2www.nowchip.com0755-27381274
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13352985419,19076157484
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深圳市全秀电子有限公司STF24N60M2东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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Arrow(艾睿)
STF24N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus1+:¥45.46
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1000+:¥24.51
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10+:¥32.63
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100+:¥26.9199
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Digi-Key 得捷电子
STF24N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220FP$2.46000
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Future(富昌)
STF24N60M2STMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II Plus 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus1+:¥45.46
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Mouser 贸泽电子
STF24N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M21:¥21.357
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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立创商城
STF24N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.22
10+:¥4.1