其它有关文件：STF24NM65N View All Specifications

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? II

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：70nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2500pF @ 50V

功率 - 最大值：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220FP

其它名称：497-11394-5STF24NM65N-ND