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STF25N60M2-EP /MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
STF25N60M2-EP的规格信息
STF25N60M2-EP的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:188 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STF25N60M2-EP

商标:STMicroelectronics

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:61 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:2.300 g

供应商STF25N60M2-EP
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Digi-Key 得捷电子		STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220FP$2.63000
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Mouser 贸泽电子		STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package1:¥30.51
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