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STF24N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF24N60DM2的规格信息
STF24N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:175 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STF24N60DM2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.7 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:330 mg

供应商STF24N60DM2
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF24N60DM2www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STF24N60DM2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419,19076157484
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STF24N60DM2STMicroelectronics1+:¥25.02
10+:¥20.15
100+:¥17.89
250+:¥16.51
500+:¥14.84
1000+:¥12.51
2500+:¥11.85
5000+:¥11.421+:¥19.96
10+:¥16.07
100+:¥14.25
250+:¥13.25
500+:¥13.25
1000+:¥12.65
2500+:¥12.17
5000+:¥11.82
10000+:¥11.71000+:¥13.31
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STF24N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220$2.80000
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Digi-Key 得捷电子
STF24N60DM2STMicroelectronics1+:¥25.02
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100+:¥17.89
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500+:¥14.84
1000+:¥12.51
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STF24N60DM2STMicroelectronics1+:¥25.02
10+:¥20.15
100+:¥17.89
250+:¥16.51
500+:¥14.84
1000+:¥12.51
2500+:¥11.85
5000+:¥11.421+:¥19.96
10+:¥16.07
100+:¥14.25
250+:¥13.25
500+:¥13.25
1000+:¥12.65
2500+:¥12.17
5000+:¥11.82
10000+:¥11.71000+:¥13.3150+:¥19.6
100+:¥18.02
200+:¥16.81
350+:¥16.35
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STF24N60DM2STMicroelectronics1+:¥25.02
10+:¥20.15
100+:¥17.89
250+:¥16.51
500+:¥14.84
1000+:¥12.51
2500+:¥11.85
5000+:¥11.421+:¥19.96
10+:¥16.07
100+:¥14.25
250+:¥13.25
500+:¥13.25
1000+:¥12.65
2500+:¥12.17
5000+:¥11.82
10000+:¥11.7
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Mouser 贸泽电子
STF24N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
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立创商城
STF24N60DM2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.72
10+:¥7.97
30+:¥7.47
100+:¥6.96
500+:¥6.74
1000+:¥6.63