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STF2HNK60Z /MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
STF2HNK60Z的规格信息
STF2HNK60Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:4.8 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF2HNK60Z

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:330 mg

供应商STF2HNK60Z
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现代芯城(深圳)科技有限公司STF2HNK60Zwww.nowchip.com0755-27381274
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”13725596657“17503034873
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