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STF21NM60ND /MOSFET N-Ch, 600V-0.17ohms FDMesh 17A
STF21NM60ND的规格信息
STF21NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STF21NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:48 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:330 mg

供应商STF21NM60ND
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深圳市辉华拓展电子有限公司STF21NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392
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深圳市芯幂科技有限公司STF21NM60ND深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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13352985419,19076157484
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深圳市毅创腾电子科技有限公司STF21NM60ND深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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STF21NM60NDLow input capacitance and gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO559.02 Kbytes共18页STF21NM60ND的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
STF21NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:¥46.6201
10+:¥37.53
100+:¥33.31
250+:¥30.7699
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100+:¥37.58
250+:¥34.491+:¥36.9399
51+:¥22.16
251+:¥15.83
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STF21NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:¥46.6201
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9000+:¥22.781+:¥47.76
10+:¥37.33150+:¥24.04
500+:¥22.45
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Digi-Key 得捷电子
STF21NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:¥46.6201
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Digi-Key 得捷电子
STF21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A TO220FP$6.07000
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element14 e络盟电子
STF21NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:¥46.6201
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Mouser 贸泽电子
STF21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 600V-0.17ohms FDMesh 17A1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.352
250:¥32.5779
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Mouser 贸泽电子
STF21NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:¥46.6201
10+:¥37.53
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250+:¥30.7699
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250+:¥24.68
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6000+:¥22.28
9000+:¥22.78
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RS(欧时)
STF21NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品1+:¥46.6201
10+:¥37.53
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1000+:¥23.5601
3000+:¥22.66
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10+:¥37.33150+:¥24.04
500+:¥22.4510+:¥48.1301
50+:¥43.1101
100+:¥37.58
250+:¥34.49