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STB8NM60D /MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
STB8NM60D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB8NM60D

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:4 g

供应商STB8NM60D
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现代芯城(深圳)科技有限公司STB8NM60Dwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB8NM60D深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STB8NM60D上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STB8NM60D深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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深圳市辰芯伟业科技有限公司STB8NM60D华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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苏州芯华胜半导体科技有限公司STB8NM60D江苏省苏州市虎丘区高新浒关工业园汇融广场20楼4006515758
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2000+:¥8.25
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STB8NM60DSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥8.8599
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Mouser 贸泽电子
STB8NM60DSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh?? 分立半导体产品1000+:¥8.8599
2000+:¥8.25
5000+:¥7.9425+:¥19.45
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