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STB80NF55-06-1 /MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
STB80NF55-06-1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Tube

高度:8.95 mm

长度:10 mm

系列:STB80NF55-06-1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:65 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:155 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:125 ns

典型接通延迟时间:27 ns

单位重量:1.438 g

供应商STB80NF55-06-1
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Mouser 贸泽电子		STB80NF55-06-1STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品1000+:￥11.771+:￥18.72
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5000+:￥11.07
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