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STB80N4F6AG /MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB80N4F6AG的规格信息
STB80N4F6AG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB80N4F6AG

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:11.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.6 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46.1 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns

供应商STB80N4F6AG
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