系列：STripFET™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：75A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：84nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：3260pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：34 毫欧 @ 37A，10V

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：D2PAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：200V

连续漏极电流ID：75A

下降时间：29 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40 S

最小工作温度：- 50 C

功率耗散：190 W

上升时间：33 ns

典型关闭延迟时间：75 ns

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：200 V

闸/源击穿电压：± 20 V

漏极连续电流：75 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.034 0hms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs