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STB76NF75 /MOSFET POWER MOSFET N-CH 75V
STB76NF75的规格信息
STB76NF75的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.6 mm

长度:10.4 mm

系列:STB76NF75

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.35 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:100 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:66 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:4 g

供应商STB76NF75
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STB76NF75N-channel 75 V, 0.0095, 80 A TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO771.02 Kbytes共15页STB76NF75的PDF下载地址
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STB76NF75STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品1000+:¥9.19991+:¥15.65
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STB76NF75STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 80A D2PAKActive
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STB76NF75STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 75V1:¥19.6733
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STB76NF75STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品1000+:¥9.19991+:¥15.65
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2000+:¥8.59
5000+:¥8.51
10000+:¥8.21
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STB76NF75STMicroelectronicsSTripFET II Power MOSFET1 : $0.86
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