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STB7ANM60N /MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
STB7ANM60N的规格信息
STB7ANM60N的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB7ANM60N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:4 g

供应商STB7ANM60N
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现代芯城（深圳）科技有限公司STB7ANM60Nwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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深圳市辰芯伟业科技有限公司STB7ANM60N华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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STB7ANM60N的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		STB7ANM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品1000+:￥9.31
2000+:￥8.66
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Digi-Key 得捷电子		STB7ANM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品1000+:￥9.31
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Mouser 贸泽电子		STB7ANM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II1:¥19.8202
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100:¥13.5261
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