其它有关文件:STB80NF55L-08-1 View All Specifications
标准包装:50
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:STripFET?? II
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4350pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装:I2PAK
其它名称:497-12542-5STB80NF55L-08-1-NDSTB80NF55L081