FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):12.2pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs