系列：TrenchFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：270nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：14280pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.7 毫欧 @ 30A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package：TO-263-3
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：60V
连续漏极电流ID：120A
漏源极导通电阻RDS(ON)：6.7mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)：2V
Id-连续漏极电流：120A
Pd-功率耗散：375W
Qg-栅极电荷：180nC
Rds On-漏源导通电阻：6.7mOhms
Vds-漏源极击穿电压：60V
Vgs - 栅极-源极电压：-10V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.5V
上升时间：23ns
下降时间：32ns
典型关闭延迟时间：97ns
典型接通延迟时间：15ns
安装风格：SMD/SMT
宽度：9.65mm
封装/外壳：TO-263-3
晶体管极性：P-Channel
晶体管类型：1P-Channel
最大工作温度：+175C
最小工作温度：-55C
正向跨导 - 最小值：90S
系列：SQ
资格：AEC-Q101
通道数量：1Channel
通道模式：Enhancement
配置：Single
长度：10.67mm
高度：4.83mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs