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SQM120N04-1m9_GE3 /MOSFET 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified
SQM120N04-1m9_GE3的规格信息
SQM120N04-1m9_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:270 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:166 S

下降时间:92 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:248 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:2 g

供应商SQM120N04-1m9_GE3
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