SQM110P06-8m9L_GE3
/MOSFET P-Channel 60V Automotive MOSFET
SQM110P06-8m9L_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:110 A
Rds On-漏源导通电阻:7.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:200 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
下降时间:48 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:71 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:2.200 g
SQM110P06-8m9L_GE3
SQM110P06-8m9L_GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SQM110P06-8m9L_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 60V Automotive MOSFET | 1:¥22.8938 10:¥18.984 100:¥15.594 250:¥15.142
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