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SQM120P04-04L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQM120P04-04L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:自动,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):330nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13980pF @ 20V

功率 - 最大值:375W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263

供应商SQM120P04-04L-GE3
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SQM120P04-04L-GE3Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO180.29 Kbytes共10页SQM120P04-04L-GE3的PDF下载地址
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SQM120P04-04L-GE3Vishay800+:¥20.31+:¥30.23
10+:¥24.27
100+:¥22.11
250+:¥20.04
500+:¥20.04
1000+:¥19.13
2500+:¥18.4
5000+:¥17.92
10000+:¥17.571+:¥7.79
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1000+:¥19.13
2500+:¥18.4
5000+:¥17.92
10000+:¥17.57