SQM120P04-04L_GE3
/MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQM120P04-04L_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:120 A
Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:330 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:375 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:97 S
下降时间:45 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:112 ns
典型接通延迟时间:17 ns
单位重量:2.200 g
SQM120P04-04L_GE3