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SQM110N05-06L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQM110N05-06L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4440pF @ 25V

功率 - 最大值:157W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

供应商SQM110N05-06L-GE3
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SQM110N05-06L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥17.461+:¥26.01
10+:¥20.87
100+:¥19.0501
250+:¥17.23
500+:¥17.23
800+:¥16.44
2400+:¥15.82
4800+:¥15.36
9600+:¥15.061+:¥20.6
10+:¥17.15
25+:¥15.43
100+:¥13.7
250+:¥12.8
500+:¥12.2199
1000+:¥11.9
2500+:¥11.57
5000+:¥11.161+:¥17.35
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SQM110N05-06L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥17.46
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SQM110N05-06L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥17.461+:¥26.01
10+:¥20.87
100+:¥19.0501
250+:¥17.23
500+:¥17.23
800+:¥16.44
2400+:¥15.82
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9600+:¥15.061+:¥20.6
10+:¥17.15
25+:¥15.43
100+:¥13.7
250+:¥12.8
500+:¥12.2199
1000+:¥11.9
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250+:¥17.23
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