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SQM120N03-1M5L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQM120N03-1M5L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15605pF @ 15V

功率 - 最大值:375W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263

供应商SQM120N03-1M5L-GE3
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SQM120N03-1M5L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥12.361+:¥18.3899
10+:¥14.83
100+:¥13.42
250+:¥12.1801
500+:¥12.1801
800+:¥11.62
2400+:¥11.1801
4800+:¥10.92
9600+:¥10.651+:¥18.5401
10+:¥15.44
25+:¥13.85
100+:¥12.33
250+:¥11.5399
500+:¥10.98
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2500+:¥10.42
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SQM120N03-1M5L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥12.361+:¥18.3899
10+:¥14.83
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250+:¥12.1801
500+:¥12.1801
800+:¥11.62
2400+:¥11.1801
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9600+:¥10.651+:¥18.5401
10+:¥15.44
25+:¥13.85
100+:¥12.33
250+:¥11.5399
500+:¥10.98
1000+:¥10.74
2500+:¥10.42
5000+:¥10.02
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SQM120N03-1M5L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:¥12.361+:¥18.3899
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250+:¥12.1801
500+:¥12.1801
800+:¥11.62
2400+:¥11.1801
4800+:¥10.92
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