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SQD100N03-3M2L_GE3 /MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
SQD100N03-3M2L_GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:116 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:122 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:1.438 g

供应商SQD100N03-3M2L_GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SQD100N03-3M2L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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Mouser 贸泽电子		SQD100N03-3M2L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET2,000:¥5.1867
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