单位包：3000

最小起订量：3000

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：13.3A (Ta), 35A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.3V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：40V

标准包装：3,000

供应商设备封装：PowerPAK® 1212-8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：1107 mOhm @ 15A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：3.7W

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

输入电容（Ciss ） @ VDS：4370pF @ 20V

其他名称：SIS443DN-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：135nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

源极击穿电压：20 V

连续漏极电流：- 35 A

正向跨导 - 闵：50 S

RDS（ON）：16 mOhms

功率耗散：52 W

下降时间：10 ns

最低工作温度：- 55 C

典型关闭延迟时间：48 ns

上升时间：10 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 40 V

RoHS：RoHS Compliant

栅极电荷Qg：41.5 nC

Continuous Drain Current Id：:-35A

Drain Source Voltage Vds：:-40V

On Resistance Rds(on)：:0.0097ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:-10V

Threshold Voltage Vgs：:-1V

功耗：:52W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:PowerPAK 1212

No. of Pins：:8

MSL：:MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：0.002

Tariff No.：85412900