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SIS435DNT-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
SIS435DNT-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:180 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:39 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:55 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:40 ns

供应商SIS435DNT-T1-GE3
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIS435DNT-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIS435DNT-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIS435DNT-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SIS435DNT-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V .0054ohm@4.5V 30A P-Ch G-III1+:¥5.96
10+:¥5.26
25+:¥4.64
100+:¥4.05
250+:¥3.5199
500+:¥2.9901
1000+:¥2.41+:¥4.58
10+:¥3.59
100+:¥2.72
500+:¥2.32
1000+:¥2.15
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6000+:¥1.98
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24000+:¥1.883000+:¥2.47
15000+:¥2.34
30000+:¥2.29
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Digi-Key 得捷电子
SIS435DNT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8$0.82000
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Digi-Key 得捷电子
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1000+:¥2.4
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Mouser 贸泽电子
SIS435DNT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
3,000:¥3.0736
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Mouser 贸泽电子
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1000+:¥2.41+:¥4.58
10+:¥3.59
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1000+:¥2.15
3000+:¥2.15
6000+:¥1.98
9000+:¥1.96
24000+:¥1.88
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SIS435DNT-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥6.82
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