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SIR638DP-T1-RE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR638DP-T1-RE3的规格信息
SIR638DP-T1-RE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:730 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:204 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAKTrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIR

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:147 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:6000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:52 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:506.600 mg

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SIR638DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.2207
1,000:¥5.9777
6,000:¥5.9777