SIR470DP-T1-GE3的供应商，SIR470DP-T1-GE3规格参数，SIR470DP-T1-GE3的PDF资料

SIR470DP-T1-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:1.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:155 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:190 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:SIR814DP-T1-GE3

单位重量:506.600 mg

SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市坤融电子有限公司	SIR470DP-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
集好芯城	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市德州众泰科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82575351 13360063783	廖小姐	询价
集好芯城	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市兴中芯科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A65	13113670037 13113670037	唐先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SIR470DP-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	SiR470DP-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SiR470DP-T1-GE3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价

SIR470DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIR470DP-T1-GE3	MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	Vishay / Siliconix	366.16 Kbytes	共13页	无
SIR470DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	Vishay Siliconix	365.62 Kbytes	共13页	无
SIR470DP-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.25W 类型：N沟道	VISHAY(威世)	306.93 Kbytes	共13页	无

SIR470DP-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Am2	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.941+:￥16.32 10+:￥13.17 100+:￥10.5201 500+:￥10.5201 1000+:￥9.77 3000+:￥8.97 6000+:￥8.8799 9000+:￥8.51 24000+:￥8.443000+:￥4.293000+:￥4.081+:￥13.51 10+:￥11.3 100+:￥10.14
Arrow(艾睿)	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.941+:￥16.32 10+:￥13.17 100+:￥10.5201 500+:￥10.5201 1000+:￥9.77 3000+:￥8.97 6000+:￥8.8799 9000+:￥8.51 24000+:￥8.443000+:￥4.293000+:￥4.081+:￥13.51 10+:￥11.3 100+:￥10.141+:￥5.14
ChipOneStop	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.941+:￥16.32 10+:￥13.17 100+:￥10.5201 500+:￥10.5201 1000+:￥9.77 3000+:￥8.97 6000+:￥8.8799 9000+:￥8.51 24000+:￥8.443000+:￥4.29
Digi-Key 得捷电子	SIR470DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8	$2.95000
Digi-Key 得捷电子	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.94
Future(富昌)	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.941+:￥16.32 10+:￥13.17 100+:￥10.5201 500+:￥10.5201 1000+:￥9.77 3000+:￥8.97 6000+:￥8.8799 9000+:￥8.51 24000+:￥8.443000+:￥4.293000+:￥4.08
Mouser 贸泽电子	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.941+:￥16.32 10+:￥13.17 100+:￥10.5201 500+:￥10.5201 1000+:￥9.77 3000+:￥8.97 6000+:￥8.8799 9000+:￥8.51 24000+:￥8.44
Mouser 贸泽电子	SIR470DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥21.7412 10:¥18.0574 100:¥13.9894 500:¥12.2944 1,000:¥11.9102 3,000:¥11.6842
Verical	SIR470DP-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V	3000+:￥8.94 6000+:￥8.61 15000+:￥8.27 30000+:￥8.14 75000+:￥7.941+:￥16.32 10+:￥13.17 100+:￥10.5201 500+:￥10.5201 1000+:￥9.77 3000+:￥8.97 6000+:￥8.8799 9000+:￥8.51 24000+:￥8.443000+:￥4.293000+:￥4.081+:￥13.51 10+:￥11.3 100+:￥10.141+:￥5.141+:￥4.41
立创商城	SIR470DP-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.25W 类型：N沟道	1+:￥7.29 10+:￥5.38 30+:￥5.03 100+:￥4.68 500+:￥4.52 1000+:￥4.44

SIR470DP-T1-GE3的相关型号