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SIR424DP-T1-GE3 /SiR172DP Series N-Channel 20 V 0.0074 Ohm 41.7 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
SIR424DP-T1-GE3的规格信息
SIR424DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1250pF @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），41.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：30A

漏源极导通电阻RDS(ON)：4.6mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：2.5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SIR424DP-T1-GE3
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深圳市华兴微电子有限公司SIR424DP-T1-GE3华强广场A座14B13202105858
13202105858		蔡升航Email:745217619@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR424DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子（香港）有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIR424DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiR424DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市大源实业科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SIR424DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR424DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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SIR424DP-T1-GE3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO498.42 Kbytes共13页SIR424DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR424DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIR424DP-T1-GE3Siliconix / VishaySIR424DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 23 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK SO+300:$0.63
+600:$0.62
+1500:$0.61
+3000:$0.59
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 20V 23.4A3,000 : $0.48
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Arrow(艾睿)		SIR424DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V3000+:￥2.75
6000+:￥2.61
15000+:￥2.51
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75000+:￥2.361+:￥5.45
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100+:￥3.37
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1000+:￥2.91
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Avnet Express		SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.3814
14,999 : $0.3629
29,999 : $0.3584
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SIR424DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.5
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8$0.98000
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Digi-Key 得捷电子		SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-86,000 : $0.3591
3,000 : $0.378
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR424DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V3000+:￥2.75
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Future Electronics		SIR424DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSiR172DP Series N-Channel 20 V 0.0074 Ohm 41.7 W SMT Mosfet - PowerPAK? SO-8
RoHS : Compliant		3,000 : $0.4
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Mouser 贸泽电子		SIR424DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥7.2998
10:¥5.9777
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Mouser 贸泽电子		SIR424DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V3000+:￥2.75
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIR424DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.8W 类型：N沟道1+:￥4.79
10+:￥4.67
30+:￥4.59
100+:￥4.5
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