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SIR426DP-T1-GE3 /MOSFET
SIR426DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:SIR

单位重量:506.600 mg

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

宽度:5.15 mm

零件号别名:SIR426DP-GE3

商标名:TrenchFET

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):31nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1160pF @ 20V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):4.8W(Ta),41.7W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):10.5 毫欧 @ 15A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK®SO-8

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:40V

连续漏极电流ID:30A

漏源极导通电阻RDS(ON):10.5mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SIR426DP-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SIR426DP-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR426DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIR426DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIR426DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SIR426DP-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR426DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIR426DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiR426DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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SIR426DP-T1-GE3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO497.23 Kbytes共13页SIR426DP-T1-GE3的PDF下载地址
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SIR426DP-T1-GE3Siliconix / Vishay40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V+3000:$0.86
+6000:$0.82
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Allied Electronics
SIR426DP-T1-GE3Vishay Siliconix40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V250 : $0.51
500 : $0.49
1,000 : $0.46
3,000 : $0.44
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Arrow(艾睿)
SIR426DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO
RoHS : Compliant
100 : $0.5472
250 : $0.5097
500 : $0.4667
1,000 : $0.4183
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Avnet Express
SIR426DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.6
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Avnet Express
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CH POWERPAK SO8 BWL 40V 10.5MOHM @ 10V - Tape and Reel3,000 : $0.405
14,999 : $0.3948
29,999 : $0.3917
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Chip1Stop
SIR426DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesUnidentified
RoHS : Compliant
3,000 : $0.6
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ChipOneStop
SIR426DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V3000+:¥3.05
6000+:¥2.9
15000+:¥2.79
30000+:¥2.7
75000+:¥2.621+:¥6.0299
10+:¥4.87
100+:¥3.74
500+:¥3.3
1000+:¥3.23
3000+:¥3.08
6000+:¥2.97
9000+:¥2.89
24000+:¥2.83000+:¥4.24
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Digi-Key 得捷电子
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8$1.09000
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Digi-Key 得捷电子
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-86,000 : $0.399
3,000 : $0.42
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIR426DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V3000+:¥3.05
6000+:¥2.9
15000+:¥2.79
30000+:¥2.7
75000+:¥2.62
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET 40V 30A
RoHS : Compliant
3,000 : $3.5
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Future Electronics
SIR426DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 40 V 12.5 mOhm 9.3 nC 41.7 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
RoHS : Compliant
3,000 : $0.3444
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIR426DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V3000+:¥3.05
6000+:¥2.9
15000+:¥2.79
30000+:¥2.7
75000+:¥2.621+:¥6.0299
10+:¥4.87
100+:¥3.74
500+:¥3.3
1000+:¥3.23
3000+:¥3.08
6000+:¥2.97
9000+:¥2.89
24000+:¥2.8
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIR426DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥8.0682
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.3844
3,000:¥4.3844
元器件资料网-Rutronik的LOGO
Rutronik
SIR426DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesN-CH 40V 30A 10,5mOhm PPSO-8 RoHSconf价格未公开
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Verical
SIR426DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO$0.5093
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立创商城
SIR426DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.8W 类型:N沟道1+:¥5.64
10+:¥4.29
30+:¥4.04
100+:¥3.6763
500+:¥3.5696
1000+:¥3.5211