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SIR466DP-T1-GE3 /MOSFET
SIR466DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：SI

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：65nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2730pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：5W（Ta），54W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：3.5 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK®SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：40A

漏源极导通电阻RDS(ON)：3.5mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SIR466DP-T1-GE3
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深圳亿恒升电子有限公司SIR466DP-T1-GE3都会100A座24A0755-29992989，0755-23945396
18938644687，15013565437		苏先生，李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SIR466DP-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
集好芯城SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiR466DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR466DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIR466DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIR466DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIR466DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR466DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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SIR466DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SIR466DP-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO340.56 Kbytes共13页SIR466DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR466DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO359.73 Kbytes共13页SIR466DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR466DP-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO359.22 Kbytes共13页SIR466DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR466DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIR466DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V3000+:￥3.46
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIR466DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V3000+:￥3.46
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR466DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V3000+:￥3.46
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SIR466DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V3000+:￥3.46
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIR466DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
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1,000:¥4.7008
3,000:¥4.3618
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIR466DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V3000+:￥3.46
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元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIR466DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V3000+:￥3.46
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIR466DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：N沟道1+:￥1.51
10+:￥1.47
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