制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-8x8-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:34 A

Rds On-漏源导通电阻:68 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:80 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:202 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:E

晶体管类型:1 N-Channel E-Series Power MOSFET

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:9.3 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:148 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:56 ns