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SIHG17N60D-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG17N60D-GE3的规格信息
SIHG17N60D-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247AC-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:340 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:277.8 W

配置:Single

封装:Bulk

系列:D

商标:Vishay / Siliconix

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

零件号别名:SIHG17N60D-E3

单位重量:38 g

供应商SIHG17N60D-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SIHG17N60D-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHG17N60D-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHG17N60D-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIHG17N60D-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHG17N60D-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市惊羽科技有限公司SIHG17N60D-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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Arrow(艾睿)		SIHG17N60D-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品500+:￥17.091+:￥22.94
10+:￥18.47
100+:￥16.81
250+:￥15.24
500+:￥15.24
1000+:￥14.55
2500+:￥13.99
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10000+:￥13.3150+:￥38.35
250+:￥31.53
1000+:￥29.99
5000+:￥28.571+:￥14.84
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Digi-Key 得捷电子		SIHG17N60D-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品500+:￥17.09
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Mouser 贸泽电子		SIHG17N60D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC1:¥30.51
10:¥25.2781
100:¥20.8259
250:¥20.1366
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Mouser 贸泽电子		SIHG17N60D-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品500+:￥17.091+:￥22.94
10+:￥18.47
100+:￥16.81
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500+:￥15.24
1000+:￥14.55
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5000+:￥13.63
10000+:￥13.31
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RS(欧时)		SIHG17N60D-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品500+:￥17.091+:￥22.94
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2500+:￥13.99
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10000+:￥13.3150+:￥38.35
250+:￥31.53
1000+:￥29.99
5000+:￥28.57
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