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SIHD6N65E-GE3 /MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
SIHD6N65E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:E

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:1.438 g

供应商SIHD6N65E-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SIHD6N65E-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIHD6N65E-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳和润天下电子科技有限公司SIHD6N65E-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市斌腾达科技有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHD6N65E-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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SIHD6N65E-GE3的全球分销商及价格
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SIHD6N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥11.7099
10+:¥10.59
25+:¥9.46
100+:¥8.51
250+:¥7.56
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SIHD6N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:¥11.7099
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Mouser 贸泽电子
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10:¥10.2943
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Mouser 贸泽电子
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9000+:¥4.89
24000+:¥4.87