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SIHB6N65E-GE3 /MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB6N65E-GE3的规格信息
SIHB6N65E-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:E

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:1.438 g

供应商SIHB6N65E-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SIHB6N65E-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市华芯盛世科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市莱杰信科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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深圳市惊羽科技有限公司SIHB6N65E-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
北京显周科技有限公司SIHB6N65E-GE3北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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SIHB6N65E-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Mouser 贸泽电子		SIHB6N65E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1+:￥14.4
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