FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.8A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）19.6nC

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）315pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds100V

功率耗散（最大值）62.5W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.75 欧姆 @ 1A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

容值0.24pF

偏差±0.05pF

电压25V

温度系数C0G，NP0

特性高 Q 值，低损耗

应用RF，微波，高频

尺寸 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm）

厚度（最大值）0.013"（0.33mm）

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

无铅情况/RoHs否