图像仅供参考，请参阅规格书
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:4.3 A
Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:16 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:69 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
系列:E
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:1.5 S
下降时间:20 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7 ns
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:28 ns
典型接通延迟时间:12 ns
