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SIHB30N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB30N60E-GE3的规格信息
SIHB30N60E-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:36 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:1.438 g

供应商SIHB30N60E-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SIHB30N60E-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18938047708/18938048779
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深圳市斌腾达科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIHB30N60E-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SIHB30N60E-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIHB30N60E-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳诚思涵科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市华芯盛世科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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万三科技(深圳)有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司SIHB30N60E-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SIHB30N60E-GE3MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO204.85 Kbytes共9页SIHB30N60E-GE3的PDF下载地址
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SIHB30N60E-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIHB30N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 29A D2PAK$6.35000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SIHB30N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1+:¥44.37
10+:¥39.64
25+:¥35.67
100+:¥32.51
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500+:¥26.32
1000+:¥22.2
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element14 e络盟电子
SIHB30N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1+:¥44.37
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Future(富昌)
SIHB30N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1+:¥44.37
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SIHB30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)1:¥53.2456
10:¥47.7199
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元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
SIHB30N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1+:¥44.37
10+:¥39.64
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100+:¥30.35+:¥19.1625+:¥61.78
100+:¥56.5
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