SIHB33N60E-GE3的供应商，SIHB33N60E-GE3规格参数，SIHB33N60E-GE3的PDF资料

SIHB33N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB33N60E-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:33 A

Rds On-漏源导通电阻:99 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:100 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:278 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:E

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:54 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:99 ns

典型接通延迟时间:28 ns

单位重量:1.438 g

SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市坤融电子有限公司	SIHB33N60E-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	华强北都会轩2601	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
集好芯城	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	SIHB33N60E-GE3	深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603	0755-82777855,0755-82702619 13510175077	刘先生,李小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SIHB33N60E-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价

SIHB33N60E-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIHB33N60E-GE3	MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	Vishay / Siliconix	223.74 Kbytes	共9页	无
SIHB33N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 33A TO-263	Vishay Siliconix	216.99 Kbytes	共9页	无
SIHB33N60E-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 16.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道	VISHAY(威世)	222.61 Kbytes	共9页	无

SIHB33N60E-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.471+:￥36.03 10+:￥28.91 100+:￥26.42 250+:￥23.94 500+:￥23.94 1000+:￥22.85 2000+:￥21.98 5000+:￥21.6 10000+:￥21.741+:￥42.32 10+:￥37.7501 25+:￥33.98500+:￥20.22011+:￥19.54011+:￥24.06
ChipOneStop	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.471+:￥36.03 10+:￥28.91 100+:￥26.42 250+:￥23.94 500+:￥23.94 1000+:￥22.85 2000+:￥21.98 5000+:￥21.6 10000+:￥21.741+:￥42.32 10+:￥37.7501 25+:￥33.98500+:￥20.2201
Digi-Key 得捷电子	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.47
Digi-Key 得捷电子	SIHB33N60E-GE3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V D2PAK	Active
element14 e络盟电子	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.471+:￥36.03 10+:￥28.91 100+:￥26.42 250+:￥23.94 500+:￥23.94 1000+:￥22.85 2000+:￥21.98 5000+:￥21.6 10000+:￥21.741+:￥42.32 10+:￥37.7501 25+:￥33.98
Future(富昌)	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.471+:￥36.03 10+:￥28.91 100+:￥26.42 250+:￥23.94 500+:￥23.94 1000+:￥22.85 2000+:￥21.98 5000+:￥21.6 10000+:￥21.741+:￥42.32 10+:￥37.7501 25+:￥33.98500+:￥20.22011+:￥19.5401
Mouser 贸泽电子	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.471+:￥36.03 10+:￥28.91 100+:￥26.42 250+:￥23.94 500+:￥23.94 1000+:￥22.85 2000+:￥21.98 5000+:￥21.6 10000+:￥21.74
Mouser 贸泽电子	SIHB33N60E-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	1:¥47.7199 10:¥39.5726 100:¥32.5779 250:¥31.5044
Verical	SIHB33N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品半导体 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS	1+:￥45.24 10+:￥40.37 25+:￥36.33 100+:￥33.1 250+:￥29.87 500+:￥26.81 1000+:￥22.6 2500+:￥21.471+:￥36.03 10+:￥28.91 100+:￥26.42 250+:￥23.94 500+:￥23.94 1000+:￥22.85 2000+:￥21.98 5000+:￥21.6 10000+:￥21.741+:￥42.32 10+:￥37.7501 25+:￥33.98500+:￥20.22011+:￥19.54011+:￥24.061+:￥21.27
立创商城	SIHB33N60E-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 16.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥56.17 10+:￥48.23 30+:￥46.77 100+:￥45.31 500+:￥44.67 1000+:￥43.86

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