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SIHB23N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB23N60E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:23 A

Rds On-漏源导通电阻:158 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:63 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:E

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:34 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:38 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:66 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:1.438 g

供应商SIHB23N60E-GE3
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集好芯城SIHB23N60E-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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SIHB23N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥14.361+:¥22.94
10+:¥18.3899
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SIHB23N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 23A D2PAK$4.11000
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SIHB23N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)1:¥35.5724
10:¥31.8095
100:¥26.2838
250:¥23.1311
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Mouser 贸泽电子
SIHB23N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥14.361+:¥22.94
10+:¥18.3899
100+:¥16.7299
250+:¥15.16
500+:¥15.16
1000+:¥14.47
2000+:¥13.92
5000+:¥13.55
10000+:¥13.31