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SIHB22N60E-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIHB22N60E-GE3的规格信息
SIHB22N60E-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：86nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1920pF @ 100V

功率 - 最大值：227W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D²PAK

其它名称：SIHB22N60EGE3

供应商SIHB22N60E-GE3
SIHB22N60E-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市星宇佳科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SiHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIHB22N60E-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIHB22N60E-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城SIHB22N60E-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIHB22N60E-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
万三科技（深圳）有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SIHB22N60E-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
上海山峻电子有限公司SIHB22N60E-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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SIHB22N60E-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIHB22N60E-GE3MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO216.10 Kbytes共9页SIHB22N60E-GE3的PDF下载地址无
SIHB22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A D2PAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO213.97 Kbytes共9页SIHB22N60E-GE3的PDF下载地址无
SIHB22N60E-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO213.46 Kbytes共9页SIHB22N60E-GE3的PDF下载地址无
SIHB22N60E-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIHB22N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:￥30.11
10+:￥26.91
25+:￥24.2201
100+:￥22.06
250+:￥19.92
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1000+:￥15.07
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIHB22N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:￥30.11
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200+:￥21.01
500+:￥16.04
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIHB22N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:￥30.11
10+:￥26.91
25+:￥24.2201
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIHB22N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A D2PAK$4.31000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SIHB22N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:￥30.11
10+:￥26.91
25+:￥24.2201
100+:￥22.06
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIHB22N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:￥30.11
10+:￥26.91
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIHB22N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)1:¥36.1939
10:¥32.3519
100:¥26.7358
250:¥24.5097
元器件资料网-Tti的LOGO
Tti		SIHB22N60E-GE3Vishay Intertechnologies1+:￥30.11
10+:￥26.91
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100+:￥22.06
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1000+:￥17.0699
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIHB22N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS1+:￥30.11
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIHB22N60E-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道1+:￥28.27
10+:￥27.5
30+:￥27
100+:￥26.49
SIHB22N60E-GE3的相关型号
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