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SI9953DY /Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9953DY的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压20 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流2.3 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.25 Ohms

配置Dual

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

下降时间10 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2 W

上升时间12 ns

工厂包装数量100

典型关闭延迟时间20 ns

供应商SI9953DY
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SI9953DYDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO48.96 Kbytes共4页SI9953DY的PDF下载地址SI4943DY,SI7911DN,SI4913DY,SI7901EDN,SI8435DB,SI9933ADY,SI3909DV,SI3911DV,SI6875DQ,SI6981DQ
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