晶体管极性N and P-Channel

汲极/源极击穿电压20 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流3 A, 2.5 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）70 mOhms, 120 mOhms

配置Dual Dual Drain

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

下降时间10 ns, 10 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）4.8 S, 3 S

栅极电荷 Qg7 nC, 6.7 nC

最小工作温度- 55 C

功率耗散2 W

上升时间10 ns, 12 ns

工厂包装数量100

典型关闭延迟时间17 ns, 20 ns