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SI9933BDY-E3 / Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC N
SI9933BDY-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

最大门源电压:±12

欧盟RoHS指令:Compliant

最高工作温度:150

通道模式:Enhancement

标准包装名称:SOIC

最低工作温度:-55

渠道类型:P

最大漏源电阻:60@4.5V

最大漏源电压:20

每个芯片的元件数:2

供应商封装形式:SOIC N

最大功率耗散:1100

最大连续漏极电流:3.6

引脚数:8

铅形状:Gull-wing

单位包:0

最小起订量:1

供应商SI9933BDY-E3
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SI9933BDY-E3Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO99.02 Kbytes共6页SI9933BDY-E3的PDF下载地址SI9948AEY,SI4925BDY,SI5943DU,ZXMP6A17DN8,NTGD3133P,SI9405DY,NCP3418B,NTLGD3502N,SI7842DP,ADP3110A
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